華為申請專利攻5奈米晶片攜手新凱來突破美科技圍堵

華爲攜手晶片製造設備開發商新凱來技術公司，爲一種能有效製造先進半導體的方法申請專利。（路透）

力求突破美國科技圍堵，華爲攜手大陸晶片製造設備開發商新凱來技術公司，爲一種技術含量低但能有效製造先進半導體的方法申請了專利，在沒有最先進極紫外光（EUV）曝光設備的情況下，也可以生產出5奈米晶片。

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彭博報導，根據這兩家公司向大陸智慧財產權局提交的文件，專利涉及自對準四重成像技術（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP），有助於減少對高階曝光機的依賴，或能幫助華爲與合作伙伴在沒有ASML最先進極紫外光（EUV）曝光設備的情況下生產出高階晶片。

總部位於荷蘭的曝光機巨頭艾司摩爾（ASML），是EUV曝光機唯一生產商，由於出口管制，他們不得向中國大陸出售此類曝光機。

彭博報導指出，四重成像是一種在矽片上多次蝕刻線路以提高晶體管密度，進而增強性能的技術。22日公告的華爲專利申請中，描述了一種使用該技術製造更復雜半導體的方法。

與華爲合作的深圳市重大產業投資集團旗下晶片製造設備開發商新凱來技術，於2023年底獲得了一項關於SAQP的專利。根據文件，這項專利透過採用深紫外光（DUV）曝光機和SAQP技術，來達到5奈米制程晶片的某些技術標準，此類做法可避免使用EUV設備同時降低製造成本。

報導引述半導體研究分析機構科技洞察力（TechInsights）副董事長哈奇森（Dan Hutcheson）指出，四重成像技術足以讓大陸製造5奈米晶片，但不能完全克服沒有EUV情況下的技術障礙。

報導並指，臺積電（2330）等領先的晶片製造商使用EUV機器生產先進半導體，因爲這樣產出最高，可以做到單顆晶片的成本最小化。如果華爲及合作伙伴使用替代方法進行半導體生產，它們單顆晶片的成本可能會高於行業標準。

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